BSB008NE2LXXUMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSB008NE2LXXUMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.8mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 3-WDSON |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 12 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 343 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 46A (Ta), 180A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSB008 |
BSB008NE2LXXUMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSB008NE2LXXUMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/06/3
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2024/09/10
BSB008NE2LXXUMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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